Magnachip Semiconductor Corporation gab bekannt, dass das Unternehmen mit der Massenproduktion von zwei neuen 650V Super Junction Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors (SJ MOSFETs) begonnen hat. Diese beiden 650V SJ MOSFETs (MMUB65R090RURH, MMUB65R115RURH) verwenden ein innovatives PDFN88-Gehäuse, das ihre Dicke und Größe erheblich reduziert. Die Dicke wurde im Vergleich zu D2PAK-Produkten um ca. 81% und im Vergleich zu DPAK-Produkten um ca. 63% reduziert, während die Gesamtgrundfläche auf ca. 41% der D2PAK SJ MOSFETs reduziert wurde.

Diese neuen SJ-MOSFETs - aufgewertet durch das PDFN88-Gehäuse - bieten eine ausgezeichnete Designflexibilität, eine effiziente Wärmeableitung und niedrige RDS(on)-Eigenschaften (der Widerstandswert zwischen Drain und Source der MOSFETs im Ein-Zustand). Daher eignen sie sich gut für verschiedene Anwendungen, die eine kompakte Größe und hohe Effizienz erfordern, wie z.B. OLED-Fernseher, Server, Beleuchtungsprodukte, Laptop-Ladegeräte und -Adapter. Neue 650V SJ MOSFETs in einem PDFN88-Gehäuse: Produkt: MMUB65R090RURH, VDS [V]: 650V, RDS(on): 90mO; Gehäuse: PDFN88; Anwendung: OLED-Fernseher, Server, Beleuchtungsprodukte, Laptop-Ladegeräte, Adapter.

Produkt: MMUB65R115RURH; VDS [V]: 650V; RDS(on): 115mO; Gehäuse: PDFN88; Anwendung: OLED-Fernseher, Server, Beleuchtungsprodukte, Laptop-Ladegeräte, Adapter.