STMicroelectronics und Soitec haben die nächste Stufe ihrer Zusammenarbeit bei Siliziumkarbid (SiC)-Substraten angekündigt. Die Qualifizierung der SiC-Substrat-Technologie von Soitec durch ST ist für die nächsten 18 Monate geplant. Ziel dieser Zusammenarbeit ist die Übernahme der SmartSiC-Technologie von Soitec durch ST für die künftige Herstellung von 200-mm-Substraten, die das Unternehmen bei der Herstellung von Bauelementen und Modulen unterstützt, wobei mittelfristig mit einer Serienproduktion zu rechnen ist. Siliziumkarbid (SiC) ist ein bahnbrechendes Verbindungshalbleitermaterial mit inhärenten Eigenschaften, die eine höhere Leistung und Effizienz als Silizium in wichtigen, wachstumsstarken Energieanwendungen, u.a. für Elektromobilität und industrielle Prozesse, ermöglichen.

Es ermöglicht eine effizientere Energieumwandlung, leichtere und kompaktere Designs und Kosteneinsparungen bei der Systementwicklung - alles wichtige Parameter und Faktoren für den Erfolg von Automobil- und Industriesystemen. Der Übergang von 150 mm auf 200 mm Wafer ermöglicht eine erhebliche Kapazitätssteigerung mit einer fast doppelt so großen Nutzfläche für die Herstellung integrierter Schaltkreise, wodurch 1,8 bis 1,9 Mal so viele Chips pro Wafer hergestellt werden können.