Transphorm, Inc. gibt die Verfügbarkeit von sechs (6) oberflächenmontierbaren Bauteilen (SMDs) bekannt, die in den Industriestandard-Gehäusen PQFN 5x6 und 8x8 erhältlich sind. Diese SMDs bieten die Zuverlässigkeits- und Leistungsvorteile der patentierten SuperGaN® d-mode two-switch normally-off Plattform von Transphorm in den Gehäusekonfigurationen, die typischerweise von e-mode GaN-Bauelementen der Konkurrenz verwendet werden. Daher können diese sechs Bauelemente problemlos als erste Designquelle oder als Pin-to-Pin-Ersatz und/oder als zweite Quelle für e-mode GaN-Lösungen dienen.

Für Leistungssysteme, die eine zusätzliche thermische Leistung der SuperGaN-Plattform benötigen, bietet Transphorm auch SMD-Bauelemente in optimierten Performance-Gehäusen an. Alle Transphorm-Bauelemente sind unabhängig vom Gehäuse leicht zu entwickeln und anzusteuern, da in der d-mode-Konfiguration ein Niederspannungs-Silizium-MOSFET zusammen mit dem GaN-HEMT verwendet wird. Diese Plattformkonfiguration ermöglicht auch die Verwendung von Standard-Controllern und/oder -Treibern, was die überragende Ansteuerbarkeit und Designfähigkeit des Transphorm-Portfolios noch verstärkt.

Das Ersetzen von E-Mode-Bauelementen durch SuperGaN D-Mode-FETs bietet nachweislich eine höhere Leistung und eine niedrigere Betriebstemperatur durch geringere Leitungsverluste, was zu einer längeren Lebensdauer und Zuverlässigkeit führt. Dies ist auf die grundlegende Überlegenheit der d-mode GaN-Schließer gegenüber den e-mode GaN-Schließern zurückzuführen.

Ein Beispiel für eine solche Validierung ist ein kürzlich durchgeführter direkter Vergleich, bei dem 50 mO e-mode durch 72 mO SuperGaN-Technologie in einem 280-W-Gaming-Laptop-Ladegerät ersetzt wurde: Bei der Analyse des Ladegeräts arbeiteten die SuperGaN-FETs im Ausgangsspannungsbereich des Controllers (während e-mode ein Level-Shifting durchführen musste) bei kühleren Temperaturen. Der Temperaturkoeffizient des SuperGaN-Widerstands (TCR) ist etwa 25 % niedriger als der des E-Mode, was zu den geringeren Leitungsverlusten beiträgt. Außerdem wurde die Anzahl der peripheren Komponenten um 20% reduziert, was auf niedrigere Stückkosten schließen lässt.

Zu den wichtigsten gemeinsamen Merkmalen der Bausteine gehören: JEDEC-qualifiziert Dynamischer RDS(on)eff produktionsgeprüft Marktführende Robustheit mit großen Gate-Sicherheitsmargen und transienten Überspannungsfähigkeiten Sehr niedrige QRR Reduzierte Crossover-Verluste. Zielanwendungen Der 72 mO FET ist optimal für den Einsatz in der Datenkommunikation, in einem breiten Spektrum von Industrieanwendungen, PV-Wechselrichtern, Servomotoren, Computersystemen und allgemeinen Verbraucheranwendungen geeignet. Die 150, 240 und 480 mO FETs sind optimal für den Einsatz in Netzteilen, SMPS mit geringer Leistung, Beleuchtungsanlagen und Verbraucheranwendungen mit geringer Leistung geeignet.