Transphorm, Inc. hat den SuperGaN®? TOLT FET VOR. Mit einem On-Widerstand von 72 Milliohm ist der Transistor TP65H070G4RS der erste oberflächengekühlte GaN-Baustein der Branche im TOLT-Gehäuse nach JEDEC-Standard (MO-332).

Das TOLT-Gehäuse bietet Kunden, bei denen die Systemanforderungen keine konventionellen oberflächenmontierbaren Bauelemente mit Unterseitenkühlung zulassen, Flexibilität beim Wärmemanagement. Die thermische Leistung des TOLT-Gehäuses ähnelt der des weit verbreiteten, thermisch robusten TO-247-Gehäuses mit Durchgangsbohrung und bietet den zusätzlichen Vorteil hocheffizienter Herstellungsprozesse, die durch die SMD-basierte Leiterplattenmontage (PCBA) ermöglicht werden. Der TP65H070G4 RS nutzt Transphorms robuste, leistungsstarke 650-Volt-GaN-Plattform im normally-off d-mode, die im Vergleich zu Silizium, Siliziumkarbid und anderen GaN-Angeboten eine verbesserte Effizienz durch geringere Gate-Ladung, Ausgangskapazität, Crossover-Verluste, Reverse-Recovery-Ladung und dynamischen Widerstand bietet.

Die Vorteile der SuperGaN-Plattform in Kombination mit den besseren thermischen Eigenschaften und der Flexibilität der Systemmontage des TOLT ergeben eine leistungsstarke, hochzuverlässige GaN-Lösung für Kunden, die Stromversorgungssysteme mit höherer Leistungsdichte und höherem Wirkungsgrad bei insgesamt niedrigeren Systemkosten auf den Markt bringen möchten. Transphorm arbeitet mit mehreren globalen Partnern für Hochleistungs-GaN zusammen, darunter führende Kunden im Bereich Server- und Speicherleistung, ein weltweit führender Anbieter im Bereich Energie/Mikrowechselrichter, ein innovativer Hersteller von netzunabhängigen Stromversorgungslösungen und ein führender Anbieter im Bereich Satellitenkommunikation. Diese Produkteinführung folgt auf die kürzliche Einführung der drei neuen TOLL-FETs von Transphorm.

Mit dem TOLT wird das Produktangebot des Unternehmens noch einmal erweitert. Die Verfügbarkeit des TOLT unterstreicht das Engagement von Transphorm, die Kundenwünsche zu erfüllen, indem es seine SuperGaN-Plattform in verschiedenen Gehäusen über den größten Leistungsbereich zugänglich macht. Bauelementespezifikationen SuperGaN-Bauelemente führen den Markt mit unübertroffener: Zuverlässigkeit bei < 0,05 FIT; Gate-Sicherheitsspanne bei +- 20 V; Rauschimmunität bei 4 V; Temperaturkoeffizient des Widerstands (TCR) um 20% niedriger als bei e-mode normally-off GaN; Antriebsflexibilität mit Standard-Siliziumtreibern.

Der robuste 650 V SuperGaN TOLT-Baustein ist JEDEC-qualifiziert. Da die normally-off d-mode Plattform den GaN HEMT mit einem integrierten Niederspannungs-Silizium-MOSFET paart, lassen sich die SuperGaN FETs einfach mit handelsüblichen Gate-Treibern ansteuern. Sie können in verschiedenen hart und weich schaltenden AC-to-DC-, DC-to-DC- und DC-to-AC-Topologien eingesetzt werden, um die Leistungsdichte zu erhöhen und gleichzeitig die Größe, das Gewicht und die Gesamtkosten des Systems zu reduzieren.

Teil Abmessungen (mm) RDS(on) (mO) typ RDS(on) (mO) max Vth (V) typ Id (25degC) (A) maxTP65H070G4RS 10 x 15 85 4 29 29. Verfügbarkeit und unterstützende Ressourcen: Der TP65H070G 4RS SuperGaN TOLT Baustein ist derzeit als Muster verfügbar. Der TP65H070G 4RS SuperGaN TOL TOLT Baustein ist derzeit als Muster erhältlich.

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