Vishay Intertechnology, Inc. hat seinen ersten 600-V-Leistungs-MOSFET der vierten Generation in dem neuen PowerPAK® 8 x 8LR-Gehäuse vorgestellt. Der n-Kanal SiHR080N60E von Vishay Siliconix senkt im Vergleich zur vorherigen Generation den On-Widerstand um 27 % und den Widerstand mal Gate-Ladung, eine wichtige Kennzahl für 600-V-MOSFETs, die in Leistungsumwandlungsanwendungen eingesetzt werden, um 60 % und bietet gleichzeitig einen höheren Strom bei geringerem Platzbedarf als Bauelemente im D²PAK-Gehäuse. Vishay bietet eine breite Palette von MOSFET-Technologien an, die alle Stufen des Leistungsumwandlungsprozesses unterstützen, von Hochspannungseingängen bis zu den Niederspannungsausgängen, die für die Stromversorgung der neuesten High-Tech-Geräte erforderlich sind.

Mit dem SiHR080N60E und anderen Bauelementen der vierten Generation der 600 V E-Serie adressiert das Unternehmen den Bedarf an Verbesserungen der Effizienz und der Leistungsdichte in zwei der ersten Stufen der Stromversorgungsarchitektur - der Leistungsfaktorkorrektur (PFC) und den nachfolgenden DC/DC-Wandlerblöcken. Zu den typischen Anwendungen gehören Server, Edge Computing, Supercomputer und Datenspeicher, USV, HID-Lampen (High Intensity Discharge) und Leuchtstofflampen, Telekommunikations-SMPS, Solarwechselrichter, Schweißgeräte, Induktionsheizungen, Motorantriebe und Batterieladegeräte.

Das kompakte PowerPAK 8 x 8LR-Gehäuse des SiHR080N60E misst 10,42 mm x 8 mm x 1,65 mm und hat eine um 50,8 % kleinere Grundfläche als das D²PAK-Gehäuse bei einer um 66 % geringeren Höhe. Dank der Kühlung auf der Oberseite bietet das Gehäuse eine hervorragende thermische Leistungsfähigkeit mit einem extrem niedrigen Wärmewiderstand zwischen Übergang und Gehäuse (Drain) von 0,25 °C/W. Dies ermöglicht einen um 46 % höheren Strom als beim D²PAK bei gleichem On-Widerstand und damit eine drastisch höhere Leistungsdichte. Darüber hinaus bieten die Gullwing-Anschlüsse des Gehäuses eine hervorragende Temperaturwechselfähigkeit.

Der SiHR080N60E basiert auf Vishays neuester energieeffizienter Superjunction-Technologie der E-Serie und zeichnet sich durch einen niedrigen typischen On-Widerstand von 0,074 O bei 10 V und eine extrem niedrige Gate-Ladung von nur 42 nC aus. Das daraus resultierende FOM liegt bei branchenweit niedrigen 3,1 O*nC, was sich in reduzierten Leitungs- und Schaltverlusten niederschlägt, um Energie zu sparen und die Effizienz in Leistungssystemen > 2 kW zu erhöhen. Für eine verbesserte Schaltleistung in hart geschalteten Topologien wie PFC-, Halbbrücken- und Two-Switch-Forward-Designs bietet der am 1. Mai 2024 veröffentlichte MOSFET niedrige typische effektive Ausgangskapazitäten Co(er) und Co(tr) von 79 pF bzw. 499 pF.

Das Gehäuse bietet außerdem einen Kelvin-Anschluss für eine verbesserte Schalteffizienz. Der Baustein ist RoHS-konform und halogenfrei und wurde so entwickelt, dass er Überspannungstransienten im Avalanche-Modus mit garantierten Grenzwerten durch 100 % UIS-Tests standhält. Muster und Produktionsmengen des SiHR080N60E sind ab sofort erhältlich.