Gapwaves gibt eine neue Zusammenarbeit mit NXP Semiconductors, dem Marktführer für Radar-Halbleiter im Automobilbereich, bekannt. Gemeinsam werden die Unternehmen 3D-Wellenleiter-Antennenlösungen entwickeln, die auf dem SAF85xx von NXP, einem branchenweit ersten 28-nm-RFCMOS-Radar-Ein-Chip-IC für ADAS- und autonome Fahrsysteme der nächsten Generation, und der proprietären Wellenleiter-Antennentechnologie von Gapwaves basieren. Die Zusammenarbeit zielt darauf ab, ein noch nie dagewesenes Maß an Radarerfassungsreichweite und Field of View (FoV) Leistung zu ermöglichen.

SAF85xx ist eine leistungsstarke Ein-Chip-Lösung für Kfz-Radaranwendungen mit vier Sendern und vier Empfängern, die in einer Gehäuseoption mit integriertem Launcher-in-Package (LiP) erhältlich ist und sich für die direkte Kopplung mit Gapwaves-Wellenleiterantennen eignet. Die Kombination dieses leistungsstarken Radar-Ein-Chip-ICs mit der Gapwaves-Wellenleiterantenne reduziert die Kopplungsverluste erheblich und ermöglicht so leistungsstarke Radarsensoren mit erweitertem Erfassungsbereich, verbesserter Objekttrennung und besserer Fähigkeit zur Erkennung und Klassifizierung kleiner Objekte.